张国成
个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
教师拼音名称:Zhang Guocheng
所在单位:电子电气与物理学院
职务:微电子科学与工程教研室主任
学历:博士研究生毕业
办公地点:C1-601
联系方式:邮箱:zh.gc@qq.com;zgc@fjut.edu.cn
学位:博士学位
在职信息:在职
主要任职:微电子科学与工程专业教师
毕业院校:福州大学
学科:电子科学与技术
微电子科学与工程
- ,张国成,邢俊杰等. 一种透明顶栅薄膜突触晶体管及其制作方法. 中国发明专利, 实审.
- ,张国成,秦世贤等. 基于超薄浮栅晶体管的仿生突触. 中国发明专利, 实审.
- ,张国成,马超等. 一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器及其制备方法. 中国发明专利, 实审.
- ,陈惠鹏,张国成,杨辉煌,胡利勤,蓝淑琼,郭太良. 一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610072062.2, 授权日期: 2018年10月26日.
- ,陈惠鹏,张国成,杨辉煌,胡利勤,蓝淑琼,郭太良. 一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610080077.3, 授权日期: 2018年06月15日.
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