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个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
教师拼音名称：Zhang Guocheng
所在单位：电子电气与物理学院
职务：微电子科学与工程教研室主任
学历：博士研究生毕业
办公地点：C1-601
联系方式：邮箱：zh.gc@qq.com；zgc@fjut.edu.cn
学位：博士学位
在职信息：在职
主要任职：微电子科学与工程专业教师
毕业院校：福州大学
学科：电子科学与技术
微电子科学与工程
1.平面/垂直薄膜晶体管；
2.柔性可拉伸场效应晶体管；
3.薄膜晶体管的应用(包括：透明器件、光探测、自供电器件、神经元、突触、存储等)以及基于晶体管的仿生集成电路；
4.数模混合集成电路设计
- .Improvement of Device Performance of Organic Photovoltaics via Laser Irradiation:Journal of Physical Chemistry C,2019
- .The effect of light environment during the film formation process on the morphology and function of organic photovoltaics:Journal of Materials Chemistry C,2019
- .喷墨打印金属氧化物异质结晶体管:发光学报,2019
- .Gate-tunable all-inorganic QLED with enhanced charge injection balance:Journal of Materials Chemistry C,2020
- .A multilevel vertical photonic memory transistor based on organic semiconductor/inorganic perovskite quantum dot blends:Journal of Materials Chemistry C,2020
- .High-performance vertical field-effect organic photovoltaics:NATURE COMMUNICATIONS,2023
- ,张国成，邢俊杰等. 一种透明顶栅薄膜突触晶体管及其制作方法. 中国发明专利, 实审.
- ,张国成，秦世贤等. 基于超薄浮栅晶体管的仿生突触. 中国发明专利, 实审.
- ,张国成，马超等. 一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器及其制备方法. 中国发明专利, 实审.
- ,陈惠鹏，张国成，杨辉煌，胡利勤，蓝淑琼，郭太良. 一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610072062.2, 授权日期: 2018年10月26日.
- ,陈惠鹏，张国成，杨辉煌，胡利勤，蓝淑琼，郭太良. 一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610080077.3, 授权日期: 2018年06月15日.
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