福建理工大学主页平台管理系统 Zhang Guocheng--Home-- 陈惠鹏，张国成，杨辉煌，胡利勤，蓝淑琼，郭太良. 一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610072062.2, 授权日期: 2018年10月26日.

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陈惠鹏，张国成，杨辉煌，胡利勤，蓝淑琼，郭太良. 一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610072062.2, 授权日期: 2018年10月26日.

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Pre One:张国成，马超等. 一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器及其制备方法. 中国发明专利, 实审.

Next One:陈惠鹏，张国成，杨辉煌，胡利勤，蓝淑琼，郭太良. 一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610080077.3, 授权日期: 2018年06月15日.