一种提高锗薄膜张应变的制备方法
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所属单位：电子电气与物理学院
专利范围：国内
发明设计人：邵明,林抒毅,谢文明,黄诗浩,林承华,蒋新华 林承华 聂明星 黄诗浩 谢文明 林抒毅 邵明
专利类型：发明专利
专利状态：专利授权
申请号：201510081779.9
授权号：2625094
发明人数：8
是否职务专利：否
申请日期：2015-02-15
公开日期：2015-06-03
授权日期：2017-09-29