一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构
点击次数：
所属单位：电子电气与物理学院
专利范围：国内
发明设计人：林抒毅,谢文明,黄诗浩,邵明,林承华,林承华 蒋新华 聂明星 邵明 黄诗浩 谢文明 林抒毅
专利类型：实用新型
专利状态：专利授权
申请号：201520149937.5
授权号：4447073
发明人数：8
是否职务专利：是
申请日期：2015-03-17
公开日期：2015-07-15
授权日期：2015-07-15
上一条：一种提高锗薄膜张应变的制备方法