专利
一种高频磁元件绕组损耗的测量方法
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发布时间: 2022-02-19
所属单位:电子电气与物理学院
专利范围:国内
第一作者:叶建盈
发明设计人:黄文彬,黄晓生,李锦彬,郑荣进
专利类型:发明专利
专利状态:专利授权
申请号:201811432097.8
授权号:4283137
发明人数:5
是否职务专利:
申请日期:2018-11-28
公开日期:2021-03-02
授权日期:2021-03-02

叶建盈

所在单位:信息科学与工程学院

所属院系:电子电气与物理学院

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