专利
一种直接测量磁元件绕组损耗的方法
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发布时间: 2021-06-12
所属单位:电子电气与物理学院
专利范围:国内
第一作者:叶建盈
发明设计人:郑荣进
专利类型:发明专利
专利状态:专利授权
申请号:201610635858.4
授权号:3288195
发明人数:2
是否职务专利:
申请日期:2016-08-05
公开日期:2019-03-12
授权日期:2019-03-12

叶建盈

所在单位:信息科学与工程学院

所属院系:电子电气与物理学院

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