黄诗浩
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一种提高锗薄膜张应变的制备方法
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所属单位：
电子电气与物理学院
专利范围：
国内
第一作者：
黄诗浩
发明设计人：
聂明星,蒋新华,邵明,林抒毅,谢文明,林承华,陈佳新,蒋新华 陈佳新 林承华 聂明星 谢文明 林抒毅 邵明
专利类型：
发明专利
专利状态：
专利授权
申请号：
201510081779.9
授权号：
2625094
发明人数：
8
是否职务专利：
否
申请日期：
2015-02-15
公开日期：
2015-06-03
授权日期：
2017-09-29
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