黄诗浩
  • 所在单位：信息科学与工程学院
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一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构
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所属单位：
电子电气与物理学院
专利范围：
国内
第一作者：
黄诗浩
发明设计人：
聂明星,蒋新华,林抒毅,谢文明,邵明,林承华,陈佳新,陈佳新 林承华 蒋新华 聂明星 邵明 谢文明 林抒毅
专利类型：
实用新型
专利状态：
专利授权
申请号：
201520149937.5
授权号：
4447073
发明人数：
8
是否职务专利：
是
申请日期：
2015-03-17
公开日期：
2015-07-15
授权日期：
2015-07-15
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