张应变Ge1-xSnx合金导带结构调控
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所属单位：
软件学院
发表刊物：
激光与光电子学进展
项目来源：
省、自治区、直辖市科技项目
关键字：
材料;Ge1-xSnx合金;双轴张应变；单轴张应变；能带工程
摘要：
采用形变势理论系统地研究了(001)、(110)、(111)晶面双轴张应变以及[001]、[110]、[111]晶向单轴张应变Ge1-xSnx导带结构。结果表明:在 (001)、(110)晶面施加双轴张应变以及[001]晶向施加单轴张应变时,直接带隙Γ能谷的下降速度快于间接带隙L能谷;在 (111)晶面施加双轴张应变以及[110] 、[111]晶向施加单轴张应变时,间接带隙L能谷的下降速度快于直接带隙Γ能谷。因此,可利用(001)、(110)晶面双轴张应变以及[001]晶向单轴张应变实现通过减小Sn的组分将Ge1-xSnx合金调控为直接带隙材料的目的。相关结论可为Ge1-xSnx合金的实验制备及器件仿真等提供关键参数和理论指导。
备注：
2020.06.10 通过。提供北大核心报告，报告编号：ZWHX0200032
论文类型：
期刊论文
论文编号：
11663
卷号：
57
期号：
9
页面范围：
091602-1～091602-8
ISSN号：
1006-4125
是否译文：
否
CN号：
31-1690/TN
发表时间：
2020-05-10
所在单位：信息科学与工程学院