张应变Ge1-xSnx合金导带结构调控

Affiliation of Author(s):软件学院

Journal:激光与光电子学进展

Funded by:省、自治区、直辖市科技项目

Key Words:材料;Ge1-xSnx合金;双轴张应变；单轴张应变；能带工程

Abstract:采用形变势理论系统地研究了(001)、(110)、(111)晶面双轴张应变以及[001]、[110]、[111]晶向单轴张应变Ge1-xSnx导带结构。结果表明:在 (001)、(110)晶面施加双轴张应变以及[001]晶向施加单轴张应变时,直接带隙Γ能谷的下降速度快于间接带隙L能谷;在 (111)晶面施加双轴张应变以及[110] 、[111]晶向施加单轴张应变时,间接带隙L能谷的下降速度快于直接带隙Γ能谷。因此,可利用(001)、(110)晶面双轴张应变以及[001]晶向单轴张应变实现通过减小Sn的组分将Ge1-xSnx合金调控为直接带隙材料的目的。相关结论可为Ge1-xSnx合金的实验制备及器件仿真等提供关键参数和理论指导。

Note:2020.06.10 通过。提供北大核心报告，报告编号：ZWHX0200032

Indexed by:Journal paper

Document Code:11663

Volume:57

Issue:9

Page Number:091602-1～091602-8

ISSN No.:1006-4125

Translation or Not:no

CN No.:31-1690/TN

Date of Publication:2020-05-10